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      村田貼片電容的容值和絕緣阻抗I.R.及損耗因素D.F.

      時間:2021-05-15 14:36:55 作者:合通泰 點擊:

      村田貼片電容的的容量,小到pF級,大到幾百uF級,大容值濾低頻,多用于電源線上的去耦電路,減少電路紋波;小容值濾高頻,多用于射頻端匹配電路上。

      村田貼片電容的容值和絕緣阻抗I.R.及損耗因素D.F.

      理想電容的絕緣阻抗無限大,但是實際上電容存在寄生參數,故實際的絕緣阻抗有限,一般在兆歐級別,具體參見村田對應型號的規格書。

      損耗因素(損耗角正切)=有功功率/無功功率=漏電流/充電電流=1/Q(品質因素)

      D.F.=2*π*f*C*R (R為等效串聯電阻).



       
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